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efuse（电子保险丝）快速参考指南
电子保险丝是串联到主电源轨并由逻辑电路进行控制的低电阻开关，用于保护负载和电源。与传统的熔断器或聚合物PTC相比，电子保险丝体积更小、速度更快、效率更高，它可以检测过电流和过电压情况，对其做出反应，并且在故障事件之后无需更换。
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电源管理指南
在设计电源管理系统或子系统时，不论是能源生产或分配系统、供电或LED驱动电路、还是工业开关电源或电动汽车电力应用,它必须提供高效率、低待机功率，以及高功率密度、可靠性和安全性，同时遵守特定的成本约束条件。任何此类系统的关键部分都是分立或集成的功率半导体元件，这些器件在能源供应链上的每一级都扮演着重要的角色，如果与先进的控制技术组合应用，可以推动家庭、社区、乃至整个地球在节能领域持续改进。
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电流隔离型产品用于直流电动车辆充电站
作为拥有出色创新能力的可靠合作伙伴，意法半导体愿同您一道构建未来交通应用的蓝图。ST的智能交通工具产品和解决方案通过结合我们的多项技术让驾驶更安全、更环保和更互联。
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TSZ系列高精密度, 零偏移运算放大器
TSZ系列运算放大器采用紧凑型封装，具有低功耗和零漂移等特点。这些放大器采用斩波稳零架构，有效降低了偏移电压和漂移，非常适合高精度传感器接口。小型化的超高精度放大器可提供高阻抗输入（共模范围超出电源轨电压100mV）和轨至轨输出（摆幅低于电源轨电压50 mV以内）。它们适合最高温度125°C、150°C和175°C的汽车应用。
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ACST系列可控硅过压保护AC开关
ACST系列能实现过压保护，且在浪涌处理方面比标准可控硅更胜一筹，可有效减少对压敏电阻和吸收电路等无源器件的需求。ACST系列具有10、20和35mA栅极驱动电流，简化了电源供应，使电器电路PCB更小，负载控制更高效。新型ACST1220H-8和ACST2035H-8适用于控制交流电机和执行器。
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MasterGaN系列 600 V半桥增强模式GaN HEMT带高压驱动器
MasterGaN器件充分利用GaN技术，适合广泛的功率转换和充电应用，且无需投入大量的设计工作和资金。输入可以直接连接到MCU引脚或模拟控制器，由紧凑的器件来管理速度超快的嵌入式GaN HEMT开关，以确保满意性能。
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"TSB62系列 - 以出色的36 V运算放大器升级您的应用"
ST的灵活TSB62高压运算放大器具有能扩大动态范围的轨对轨输出，而1 mV的输入偏移电压则提升了低功耗设备的精度。对ESD的高耐受性加上强大的EMI性能，使该系列成为住宅太阳能逆变器在低侧电流检测、电压检测、最大功率点跟踪、电网同步和无功负载补偿方面的理想选择。TSB62系列可提供单、双和四通道版本，具有出色的速度和功耗。
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600 V - 650 V MDmesh DM9 超快恢复超级结功率MOSFET 提高了效率和稳健性
这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率和功率水平。这些快速恢复硅基功率MOSFET的器件适用于工业和汽车应用，提供广泛的封装选项，包括长引脚TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封装。
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STGAP2SICSN隔离式单通道栅极驱动，面向SiC MOSFET
坚固耐用的隔离式栅极驱动器采用窄体8引脚SO封装，可优化SiC MOSFET的控制。单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间，并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
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STGAP2HD & STGAP2SICD 电流隔离型4A 双通道栅极驱动器
优化和简化SiC和IGBT开关电路，具有理想的稳健性和一流的功率级控制。用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半导体新型6kV电流隔离技术，以及SO-36W宽体封装。瞬态抗扰度为±100V/ns，可防止电噪音工作条件下的虚假开关。对于这两个通道，该器件可以提供高达4A的强大栅极控制信号，其双输出引脚为栅极驱动提供了额外的灵活性。有源Miller钳位功能可在半桥拓扑的快速换向期间避免栅极尖峰。
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STDRIVEG600GaN半桥驱动器高压、高速半桥栅极驱动器确保更高效率
业界领先的品质因数（RDS(on) x Qg）可实现更高的功率水平和功率密度，适合更紧凑的解决方案。得益于极低的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），高压超结STPOWER MDmesh M9*系列使设计人员能够提高更紧凑型系统解决方案（采用SOT223-2、TOLL、HU3PAk和HV PowerFLAT封装）的功率密度。与以前的技术相比，硅功率MOSFET MDmesh M9系列具有市面上领先的品质因数，可确保更高的功率水平和效率。
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STPOWER第3代SiC MOSFET面向工业应用的创新技术
使晶体管系统效率、开关频率、功率损耗和热管理迈上新的水平。意法半导体第3代SiC MOSFET器件具有非常低的RDS(on)，提高了开关频率和能效，系统尺寸和重量也有所减小。我们的第3代SiC MOSFET包含一系列V(BR)DSS 650V和1200V产品，适用于优化从电机和机器人到各种工厂自动化系统的工业应用，以及服务器和太阳能转换系统的电源应用。
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STSPIN9电机驱动器
STSPIN948和STSPIN958提供灵活的功率级配置，可调节驱动模式和快速动态响应，以及一个完整的评估工具箱。STSPIN9器件可满足驱动多种类型有刷直流电机和步进电机的需求，面向高端工业、住宅和专业电器。采用紧凑型QFN封装的STSPIN9大电流单片式电机驱动器集成了控制逻辑和丰富保护功能的低RDS(on) 功率级，是满足苛刻工业应用要求的理想选择。此外，可调节的转换速率确保性能和EMI之间的完美平衡。这使得STSPIN9系列器件成为驱动大电流电机的理想选择，同时还能节约PCB空间。
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同步整流 SRK1000, SRK1001, SRK1004 & SRK2001控制器
Synchronous rectification controllers enable highly efficient power supplies.
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STPOWER SLLIMM HP集成与功率优化面向您的电机驱动设计
新推出的SLLIMM大功率产品简化了设计，节省了电机驱动平台（最高7 kW）的材料成本。SLLIMM High Power（HP）是全新推出的紧凑型大功率双列直插式智能功率模块（IPM），属于STPOWER系列。新推出的SLLIMM HP 650V/50A和1200V/10A产品在设计时采用全新内部驱动器配置（具有沟槽栅场截止IGBT，搭配功率级续流二极管），扩展了现有SLLIMM系列的击穿电压、电流能力和功率范围。
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TSB582 高电压 & 大电流能力运算放大器
双200 mA运算放大器，驱动大功率工业和汽车应用。TSB582双高输出放大器简化了用于驱动工业应用和汽车系统（如牵引逆变器、线控转向和自动停车）中感应和低欧姆负载（如电机、阀门和旋转解析器）的电路。TSB582的工作电压范围是4 - 36 V，包含两个运算放大器，每个运算放大器能够受电/供电200 mA。
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数字电源指南
数字电源应用以数控型解决方案来提高功率密度，加速控制回路，允许复杂的拓扑管理，并提高设计灵活性。
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运算放大器（op amps）快速参考指南
运算放大器（或Op Amps）用于对模拟信号进行放大、滤波和数学运算。它们是高增益差分放大器，广泛应用于模拟和数字电路领域。运算放大器用于将模拟信号与数字器件（如微控制器和模数转换器）对接，并用于复杂的信号处理任务（如滤波、波形整形和信号调理）。
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开关转换器 (DC-DC) 快速参考指南
DC-DC开关稳压器是一系列功率转换电路，可将源电压高效转换为不同的负载电压和电流。这些转换器使设备能够在不同的电源和负载条件下以理想功率水平运行。由于具有更高的效率，开关转换器比线性稳压器更受欢迎，特别是在输入电压和输出电压差异很大的应用中。
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意法半导体SiC MOSFET 并联的关键技术
基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立 MOSFET 并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个 MOSFET 无法满足功率需求时，再并联一颗MOSFET即可解决问题。
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电流检测快速参考指南
电流检测在工业和汽车应用领域（如电机控制、电池管理以及电源管理）中的作用至关重要。意法半导体提供的解决方案基于运算放大器和集成式电流监测器（用于分流电阻电流检测）。
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面向下一代人工智能数据中心的高密度电力传输解决方案
随着 AI 负载的快速增长，数据中心正被迫在前所未有的功率密度下运行。点击查看白皮书，获取 12 kW 1 MHz GaN LLC 参考设计与完整系统级设计方法，抢先布局下一代 AI 数据中心供电架构。
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