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串行实时时钟IC
提供丰富产品，包括超低功耗器件、内嵌晶振的标准封装，以及集成了锂电池和晶振的意法半导体SNAPHAT系列*。RTC功能包括闹铃管理、电池切换、复位，以及特殊功能比如时间戳、面向安全应用的防篡改功能。
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TSZ系列高精密度, 零偏移运算放大器
TSZ系列运算放大器采用紧凑型封装，具有低功耗和零漂移等特点。这些放大器采用斩波稳零架构，有效降低了偏移电压和漂移，非常适合高精度传感器接口。小型化的超高精度放大器可提供高阻抗输入（共模范围超出电源轨电压100mV）和轨至轨输出（摆幅低于电源轨电压50 mV以内）。它们适合最高温度125°C、150°C和175°C的汽车应用。
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L6981, L6982, L6983 - 面向工业应用的同步降压转换器
L6981、L6982和L6983是一系列易于使用的同步单片降压稳压器，可为负载提供1.5至3 A的直流电。可提供：低功耗模式（LCM）和低噪声模式（ LNM ）。LCM版本提高了轻负载时的效率，能保持可控的输出电压纹波，是电池供电应用的理想选择。LNM版本则确保了恒定的开关，减少了轻负载操作期间的输出电压纹波，适用于低噪声应用。
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STGAP2SICSN隔离式单通道栅极驱动，面向SiC MOSFET
坚固耐用的隔离式栅极驱动器采用窄体8引脚SO封装，可优化SiC MOSFET的控制。单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间，并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
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STGAP2HD & STGAP2SICD 电流隔离型4A 双通道栅极驱动器
优化和简化SiC和IGBT开关电路，具有理想的稳健性和一流的功率级控制。用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半导体新型6kV电流隔离技术，以及SO-36W宽体封装。瞬态抗扰度为±100V/ns，可防止电噪音工作条件下的虚假开关。对于这两个通道，该器件可以提供高达4A的强大栅极控制信号，其双输出引脚为栅极驱动提供了额外的灵活性。有源Miller钳位功能可在半桥拓扑的快速换向期间避免栅极尖峰。
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STDRIVEG600GaN半桥驱动器高压、高速半桥栅极驱动器确保更高效率
业界领先的品质因数（RDS(on) x Qg）可实现更高的功率水平和功率密度，适合更紧凑的解决方案。得益于极低的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），高压超结STPOWER MDmesh M9*系列使设计人员能够提高更紧凑型系统解决方案（采用SOT223-2、TOLL、HU3PAk和HV PowerFLAT封装）的功率密度。与以前的技术相比，硅功率MOSFET MDmesh M9系列具有市面上领先的品质因数，可确保更高的功率水平和效率。
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STPOWER第3代SiC MOSFET面向工业应用的创新技术
使晶体管系统效率、开关频率、功率损耗和热管理迈上新的水平。意法半导体第3代SiC MOSFET器件具有非常低的RDS(on)，提高了开关频率和能效，系统尺寸和重量也有所减小。我们的第3代SiC MOSFET包含一系列V(BR)DSS 650V和1200V产品，适用于优化从电机和机器人到各种工厂自动化系统的工业应用，以及服务器和太阳能转换系统的电源应用。
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平面磁件如何提高电力电子器件性能
在竞争激烈的当今市场中，可再生能源、储能、电源适配器、电源充电器和数据处理应用需要具有更高功率密度的低成本、高效率解决方案来提高性能，以满足不断增长的电信、汽车、医疗保健和航空航天行业的需求。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）晶体管等化合物半导体器件限制了高频条件下的开关损耗，加速了电路越来越小的趋势。事实上，高频操作导致电子电路的收缩，这要归功于减小的磁性器件尺寸和增加的功率密度。这一点对于电子功率转换器非常重要，电子功率转换器包括磁性器件，例如：用于功率传输的变压器和用于能量存储的电感器
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TSB582 高电压 & 大电流能力运算放大器
双200 mA运算放大器，驱动大功率工业和汽车应用。TSB582双高输出放大器简化了用于驱动工业应用和汽车系统（如牵引逆变器、线控转向和自动停车）中感应和低欧姆负载（如电机、阀门和旋转解析器）的电路。TSB582的工作电压范围是4 - 36 V，包含两个运算放大器，每个运算放大器能够受电/供电200 mA。
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意法半导体SiC MOSFET 并联的关键技术
基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立 MOSFET 并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个 MOSFET 无法满足功率需求时，再并联一颗MOSFET即可解决问题。
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VIPERGAN50W/65W VIPERGAN100W/100WB 采用700V GaN HEMT的高压转换器
意法半导体持续投资基于GaN的器件，最新推出VIPerGaN‘W’系列产品，该系列内嵌先进的PWM控制器与700V HEMT GaN开关，采用微型QFN 5x6封装。
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