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电机控制参考指南
意法半导体正通过一系列的创新突飞猛进，诸如集成式智能功率模块和系统级封装、单片式电机驱动、快速高效的功率开关、具有电压暂态保护功能的可控硅，以及功能强大且安全的微控制器等。无论您使用哪种电机技术（传统的、坚固的，抑或是现代的、高效的），ST都能够提供合适的电子器件和完整的生态系统（包括一系列评估板、参考设计、固件和开发工具），以简化和加速设计流程。
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ACST系列可控硅过压保护AC开关
ACST系列能实现过压保护，且在浪涌处理方面比标准可控硅更胜一筹，可有效减少对压敏电阻和吸收电路等无源器件的需求。ACST系列具有10、20和35mA栅极驱动电流，简化了电源供应，使电器电路PCB更小，负载控制更高效。新型ACST1220H-8和ACST2035H-8适用于控制交流电机和执行器。
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STGAP2SICSN隔离式单通道栅极驱动，面向SiC MOSFET
坚固耐用的隔离式栅极驱动器采用窄体8引脚SO封装，可优化SiC MOSFET的控制。单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间，并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
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STGAP2HD & STGAP2SICD 电流隔离型4A 双通道栅极驱动器
优化和简化SiC和IGBT开关电路，具有理想的稳健性和一流的功率级控制。用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半导体新型6kV电流隔离技术，以及SO-36W宽体封装。瞬态抗扰度为±100V/ns，可防止电噪音工作条件下的虚假开关。对于这两个通道，该器件可以提供高达4A的强大栅极控制信号，其双输出引脚为栅极驱动提供了额外的灵活性。有源Miller钳位功能可在半桥拓扑的快速换向期间避免栅极尖峰。
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STSPIN9电机驱动器
STSPIN948和STSPIN958提供灵活的功率级配置，可调节驱动模式和快速动态响应，以及一个完整的评估工具箱。STSPIN9器件可满足驱动多种类型有刷直流电机和步进电机的需求，面向高端工业、住宅和专业电器。采用紧凑型QFN封装的STSPIN9大电流单片式电机驱动器集成了控制逻辑和丰富保护功能的低RDS(on) 功率级，是满足苛刻工业应用要求的理想选择。此外，可调节的转换速率确保性能和EMI之间的完美平衡。这使得STSPIN9系列器件成为驱动大电流电机的理想选择，同时还能节约PCB空间。
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STPOWER SLLIMM HP集成与功率优化面向您的电机驱动设计
新推出的SLLIMM大功率产品简化了设计，节省了电机驱动平台（最高7 kW）的材料成本。SLLIMM High Power（HP）是全新推出的紧凑型大功率双列直插式智能功率模块（IPM），属于STPOWER系列。新推出的SLLIMM HP 650V/50A和1200V/10A产品在设计时采用全新内部驱动器配置（具有沟槽栅场截止IGBT，搭配功率级续流二极管），扩展了现有SLLIMM系列的击穿电压、电流能力和功率范围。
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平面磁件如何提高电力电子器件性能
在竞争激烈的当今市场中，可再生能源、储能、电源适配器、电源充电器和数据处理应用需要具有更高功率密度的低成本、高效率解决方案来提高性能，以满足不断增长的电信、汽车、医疗保健和航空航天行业的需求。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）晶体管等化合物半导体器件限制了高频条件下的开关损耗，加速了电路越来越小的趋势。事实上，高频操作导致电子电路的收缩，这要归功于减小的磁性器件尺寸和增加的功率密度。这一点对于电子功率转换器非常重要，电子功率转换器包括磁性器件，例如：用于功率传输的变压器和用于能量存储的电感器
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电机驱动器IC工业应用选型指南
STSPIN电机驱动器集成了高效且高精度驱动电机所需的所有功能。其中包括一个可降低主微控制器负荷的运动曲线生成器，同时通过一套全面的保护和诊断特性确保稳健性和可靠性。尤为值得注意的是，许多STSPIN电机驱动IC都已采用的自适应电流衰变控制方案，以及用于微步进电机驱动中的创新电压模式驱动，以确保较高扭矩控制精度和运动平稳性。
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