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电源管理指南
在设计电源管理系统或子系统时，不论是能源生产或分配系统、供电或LED驱动电路、还是工业开关电源或电动汽车电力应用,它必须提供高效率、低待机功率，以及高功率密度、可靠性和安全性，同时遵守特定的成本约束条件。任何此类系统的关键部分都是分立或集成的功率半导体元件，这些器件在能源供应链上的每一级都扮演着重要的角色，如果与先进的控制技术组合应用，可以推动家庭、社区、乃至整个地球在节能领域持续改进。
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L6981, L6982, L6983 - 面向工业应用的同步降压转换器
L6981、L6982和L6983是一系列易于使用的同步单片降压稳压器，可为负载提供1.5至3 A的直流电。可提供：低功耗模式（LCM）和低噪声模式（ LNM ）。LCM版本提高了轻负载时的效率，能保持可控的输出电压纹波，是电池供电应用的理想选择。LNM版本则确保了恒定的开关，减少了轻负载操作期间的输出电压纹波，适用于低噪声应用。
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250V-600V-650V MDmesh M9 超结功率MOSFET确保理想效率
业界领先的品质因数（RDS(on) x Qg）可实现更高的功率水平和功率密度，适合更紧凑的解决方案。得益于极低的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），高压超结STPOWER MDmesh M9*系列使设计人员能够提高更紧凑型系统解决方案（采用SOT223-2、TOLL、HU3PAk和HV PowerFLAT封装）的功率密度。与以前的技术相比，硅功率MOSFET MDmesh M9系列具有市面上领先的品质因数，可确保更高的功率水平和效率。
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STPOWER第3代SiC MOSFET面向工业应用的创新技术
使晶体管系统效率、开关频率、功率损耗和热管理迈上新的水平。意法半导体第3代SiC MOSFET器件具有非常低的RDS(on)，提高了开关频率和能效，系统尺寸和重量也有所减小。我们的第3代SiC MOSFET包含一系列V(BR)DSS 650V和1200V产品，适用于优化从电机和机器人到各种工厂自动化系统的工业应用，以及服务器和太阳能转换系统的电源应用。
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平面磁件如何提高电力电子器件性能
在竞争激烈的当今市场中，可再生能源、储能、电源适配器、电源充电器和数据处理应用需要具有更高功率密度的低成本、高效率解决方案来提高性能，以满足不断增长的电信、汽车、医疗保健和航空航天行业的需求。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）晶体管等化合物半导体器件限制了高频条件下的开关损耗，加速了电路越来越小的趋势。事实上，高频操作导致电子电路的收缩，这要归功于减小的磁性器件尺寸和增加的功率密度。这一点对于电子功率转换器非常重要，电子功率转换器包括磁性器件，例如：用于功率传输的变压器和用于能量存储的电感器
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数字电源指南
数字电源应用以数控型解决方案来提高功率密度，加速控制回路，允许复杂的拓扑管理，并提高设计灵活性。
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运算放大器（op amps）快速参考指南
运算放大器（或Op Amps）用于对模拟信号进行放大、滤波和数学运算。它们是高增益差分放大器，广泛应用于模拟和数字电路领域。运算放大器用于将模拟信号与数字器件（如微控制器和模数转换器）对接，并用于复杂的信号处理任务（如滤波、波形整形和信号调理）。
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开关转换器 (DC-DC) 快速参考指南
DC-DC开关稳压器是一系列功率转换电路，可将源电压高效转换为不同的负载电压和电流。这些转换器使设备能够在不同的电源和负载条件下以理想功率水平运行。由于具有更高的效率，开关转换器比线性稳压器更受欢迎，特别是在输入电压和输出电压差异很大的应用中。
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DCP3601和DCP3603降压转换器
降压转换器（也称为降压调节器或DC-DC步降开关稳压器）是一种输出稳压比输入电压低的DC-DC转换器。
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面向下一代人工智能数据中心的高密度电力传输解决方案
随着 AI 负载的快速增长，数据中心正被迫在前所未有的功率密度下运行。点击查看白皮书，获取 12 kW 1 MHz GaN LLC 参考设计与完整系统级设计方法，抢先布局下一代 AI 数据中心供电架构。
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设计安全、高效的太阳能装置以满足2050年净零排放要求
ST利用下一代WBG功率半导体大幅提高效率和功率密度，和采用创新电弧故障保护技术，提升系统的安全性和可靠性。
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