中文资源
  • 文档
  • 下载
  • 分享
  • 电机控制参考指南
    意法半导体正通过一系列的创新突飞猛进,诸如集成式智能功率模块和系统级封装、单片式电机驱动、快速高效的功率开关、具有电压暂态保护功能的可控硅,以及功能强大且安全的微控制器等。无论您使用哪种电机技术(传统的、坚固的,抑或是现代的、高效的),ST都能够提供合适的电子器件和完整的生态系统(包括一系列评估板、参考设计、固件和开发工具),以简化和加速设计流程。
  • 下载
  • 电源管理指南
    在设计电源管理系统或子系统时,不论是能源生产或分配系统、供电或LED驱动电路、还是工业开关电源或电动汽车电力应用,它必须提供高效率、低待机功率,以及高功率密度、可靠性和安全性,同时遵守特定的成本约束条件。任何此类系统的关键部分都是分立或集成的功率半导体元件,这些器件在能源供应链上的每一级都扮演着重要的角色,如果与先进的控制技术组合应用,可以推动家庭、社区、乃至整个地球在节能领域持续改进。
  • 下载
  • STPOWER第3代SiC MOSFET 面向电动汽车-用于电动汽车的高效碳化硅技术
    STPOWER第3代碳化硅MOSFET利用稳健技术,满足严苛的汽车和工业应用要求。作为高功率电动汽车应用领域的领导者,第3代碳化硅技术进一步提高了系统功率密度和能效,带来优异的车辆性能、续航里程和充电时间。STPOWER产品组合包括HU3PAK等创新型封装,确保关键电动汽车电力电子系统的高度可靠性。各种封装选项还可以帮助设计人员为主牵引逆变器、车载充电器、DC-DC转换器和e-climate压缩机构建优化的解决方案。
  • 下载
  • 600 V - 650 V MDmesh DM9 超快恢复超级结功率MOSFET 提高了效率和稳健性
    这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快恢复时间(trr),以及出色的品质因数(RDS(on) x Qg),能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率和功率水平。这些快速恢复硅基功率MOSFET的器件适用于工业和汽车应用,提供广泛的封装选项,包括长引脚TO-247、TO-LL,以及SOT223-2封装。
  • 下载
  • 250V-600V-650V MDmesh M9 超结功率MOSFET确保理想效率
    业界领先的品质因数(RDS(on) x Qg)可实现更高的功率水平和功率密度,适合更紧凑的解决方案。得益于极低的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg),高压超结STPOWER MDmesh M9*系列使设计人员能够提高更紧凑型系统解决方案(采用SOT223-2、TOLL、HU3PAk和HV PowerFLAT封装)的功率密度。与以前的技术相比,硅功率MOSFET MDmesh M9系列具有市面上领先的品质因数,可确保更高的功率水平和效率。
  • 下载
  • STPOWER第3代SiC MOSFET面向工业应用的创新技术
    使晶体管系统效率、开关频率、功率损耗和热管理迈上新的水平。意法半导体第3代SiC MOSFET器件具有非常低的RDS(on),提高了开关频率和能效,系统尺寸和重量也有所减小。我们的第3代SiC MOSFET包含一系列V(BR)DSS 650V和1200V产品,适用于优化从电机和机器人到各种工厂自动化系统的工业应用,以及服务器和太阳能转换系统的电源应用。
  • 下载
  • 800 V MDmesh K6 STPOWER MOSFET
    MDmesh* K6技术具有业内领先的单位面积导通电阻,支持更高的功率密度和更紧凑的解决方案。STPOWER MDmesh K6系列具有一流的性能且易于驱动和控制,为800V超结技术树立了标杆。该系列产品具有出色的单位面积导通电阻RDS(on),支持更高的功率密度和更紧凑的解决方案。该新型超高压系列器件适用于照明应用(如LED驱动器)以及基于反激式拓扑的SMPS(例如适配器和充电器)。它在植物照明以及室植物养殖提高能源转换效率方面非常有效。
  • 下载
  • STPOWER 第3代SiC MOSFET 效率更高,适用于下一代电动车辆应用
    SiC第3代技术在晶体管效率、功率密度和开关性能等方面设立了新的基准。意法半导体的第3代SiC MOSFET具有非常低的RDS(ON),有助于优化电动车辆的系统尺寸和重量,是汽车应用的理想选择。我们的第3代SiC MOSFET产品组合涵盖了广泛的BVDss电压范围(650V、750V、900V和1200V)。器件均采用先进封装,旨在满足汽车和工业的高标准。
  • 下载
  • STPOWER 1350V IH2系列IGBT 更高的电压范围适用于电磁炉
    大幅提高单开关准谐振转换器的效率适用于感应加热系统。专为感应加热应用而设计的1350V IH2系列沟槽栅场截止IGBT技术可提供更高的击穿电压、更低的VCEsat,以及更低的热阻。此外,由于采用低压降二极管和优化了关断能耗,该系列适合在16 - 60kHz的宽泛开关频率范围内提高单开关准谐振转换器的效率。最后,较高的击穿电压增强了可靠性和稳健性,能够在所有运行条件下提供合适的裕量。
  • 下载
  • 数字电源指南
    数字电源应用以数控型解决方案来提高功率密度,加速控制回路,允许复杂的拓扑管理,并提高设计灵活性。
  • 下载
  • STPOWER 1600 V IH2系列IGBT 适用于电磁炉的更高电压范围
    新型1600 V IGBT IH2优化的软开关关断能耗有助于大幅提高单开关准谐振转换器的效率。
  • 下载

微信扫一扫

复制链接 复制链接
通过邮件分享 通过邮件分享
通过QQ分享 通过QQ分享