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电机控制参考指南
意法半导体正通过一系列的创新突飞猛进，诸如集成式智能功率模块和系统级封装、单片式电机驱动、快速高效的功率开关、具有电压暂态保护功能的可控硅，以及功能强大且安全的微控制器等。无论您使用哪种电机技术（传统的、坚固的，抑或是现代的、高效的），ST都能够提供合适的电子器件和完整的生态系统（包括一系列评估板、参考设计、固件和开发工具），以简化和加速设计流程。
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电源管理指南
在设计电源管理系统或子系统时，不论是能源生产或分配系统、供电或LED驱动电路、还是工业开关电源或电动汽车电力应用,它必须提供高效率、低待机功率，以及高功率密度、可靠性和安全性，同时遵守特定的成本约束条件。任何此类系统的关键部分都是分立或集成的功率半导体元件，这些器件在能源供应链上的每一级都扮演着重要的角色，如果与先进的控制技术组合应用，可以推动家庭、社区、乃至整个地球在节能领域持续改进。
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STPOWER第3代SiC MOSFET 面向电动汽车-用于电动汽车的高效碳化硅技术
STPOWER第3代碳化硅MOSFET利用稳健技术，满足严苛的汽车和工业应用要求。作为高功率电动汽车应用领域的领导者，第3代碳化硅技术进一步提高了系统功率密度和能效，带来优异的车辆性能、续航里程和充电时间。STPOWER产品组合包括HU3PAK等创新型封装，确保关键电动汽车电力电子系统的高度可靠性。各种封装选项还可以帮助设计人员为主牵引逆变器、车载充电器、DC-DC转换器和e-climate压缩机构建优化的解决方案。
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STPOWER第3代SiC MOSFET面向工业应用的创新技术
使晶体管系统效率、开关频率、功率损耗和热管理迈上新的水平。意法半导体第3代SiC MOSFET器件具有非常低的RDS(on)，提高了开关频率和能效，系统尺寸和重量也有所减小。我们的第3代SiC MOSFET包含一系列V(BR)DSS 650V和1200V产品，适用于优化从电机和机器人到各种工厂自动化系统的工业应用，以及服务器和太阳能转换系统的电源应用。
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STPOWER 第3代SiC MOSFET 效率更高，适用于下一代电动车辆应用
SiC第3代技术在晶体管效率、功率密度和开关性能等方面设立了新的基准。意法半导体的第3代SiC MOSFET具有非常低的RDS(ON)，有助于优化电动车辆的系统尺寸和重量，是汽车应用的理想选择。我们的第3代SiC MOSFET产品组合涵盖了广泛的BVDss电压范围（650V、750V、900V和1200V）。器件均采用先进封装，旨在满足汽车和工业的高标准。
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数字电源指南
数字电源应用以数控型解决方案来提高功率密度，加速控制回路，允许复杂的拓扑管理，并提高设计灵活性。
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意法半导体SiC MOSFET 并联的关键技术
基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立 MOSFET 并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个 MOSFET 无法满足功率需求时，再并联一颗MOSFET即可解决问题。
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设计安全、高效的太阳能装置以满足2050年净零排放要求
ST利用下一代WBG功率半导体大幅提高效率和功率密度，和采用创新电弧故障保护技术，提升系统的安全性和可靠性。
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