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电机控制参考指南
意法半导体正通过一系列的创新突飞猛进，诸如集成式智能功率模块和系统级封装、单片式电机驱动、快速高效的功率开关、具有电压暂态保护功能的可控硅，以及功能强大且安全的微控制器等。无论您使用哪种电机技术（传统的、坚固的，抑或是现代的、高效的），ST都能够提供合适的电子器件和完整的生态系统（包括一系列评估板、参考设计、固件和开发工具），以简化和加速设计流程。
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电源管理指南
在设计电源管理系统或子系统时，不论是能源生产或分配系统、供电或LED驱动电路、还是工业开关电源或电动汽车电力应用,它必须提供高效率、低待机功率，以及高功率密度、可靠性和安全性，同时遵守特定的成本约束条件。任何此类系统的关键部分都是分立或集成的功率半导体元件，这些器件在能源供应链上的每一级都扮演着重要的角色，如果与先进的控制技术组合应用，可以推动家庭、社区、乃至整个地球在节能领域持续改进。
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电流隔离型产品用于直流电动车辆充电站
作为拥有出色创新能力的可靠合作伙伴，意法半导体愿同您一道构建未来交通应用的蓝图。ST的智能交通工具产品和解决方案通过结合我们的多项技术让驾驶更安全、更环保和更互联。
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STGAP2SICSN隔离式单通道栅极驱动，面向SiC MOSFET
坚固耐用的隔离式栅极驱动器采用窄体8引脚SO封装，可优化SiC MOSFET的控制。单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间，并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
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STGAP2HD & STGAP2SICD 电流隔离型4A 双通道栅极驱动器
优化和简化SiC和IGBT开关电路，具有理想的稳健性和一流的功率级控制。用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半导体新型6kV电流隔离技术，以及SO-36W宽体封装。瞬态抗扰度为±100V/ns，可防止电噪音工作条件下的虚假开关。对于这两个通道，该器件可以提供高达4A的强大栅极控制信号，其双输出引脚为栅极驱动提供了额外的灵活性。有源Miller钳位功能可在半桥拓扑的快速换向期间避免栅极尖峰。
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STDRIVEG600GaN半桥驱动器高压、高速半桥栅极驱动器确保更高效率
业界领先的品质因数（RDS(on) x Qg）可实现更高的功率水平和功率密度，适合更紧凑的解决方案。得益于极低的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），高压超结STPOWER MDmesh M9*系列使设计人员能够提高更紧凑型系统解决方案（采用SOT223-2、TOLL、HU3PAk和HV PowerFLAT封装）的功率密度。与以前的技术相比，硅功率MOSFET MDmesh M9系列具有市面上领先的品质因数，可确保更高的功率水平和效率。
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数字电源指南
数字电源应用以数控型解决方案来提高功率密度，加速控制回路，允许复杂的拓扑管理，并提高设计灵活性。
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智能工业产品及解决方案
本文档总结了意法半导体的产品组合，为当今的主要应用提供了参考，让您能够更好地专注于设计解决方案。我们的器件旨在简化应用程序开发：本文档所展示的解决方案是ST器件与您应用程序之间的重要一环。我们的参考设计、评估板、软件或开发工具，内容总是至少与我们的产品之一有关。为使开发人员能够更轻松地使用IC，至少有一个开发工具与我们的每个产品相关联。本指南分别列出了应用类型和相关解决方案与产品。
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VIPERGAN50W/65W VIPERGAN100W/100WB 采用700V GaN HEMT的高压转换器
意法半导体持续投资基于GaN的器件，最新推出VIPerGaN‘W’系列产品，该系列内嵌先进的PWM控制器与700V HEMT GaN开关，采用微型QFN 5x6封装。
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电流检测快速参考指南
电流检测在工业和汽车应用领域（如电机控制、电池管理以及电源管理）中的作用至关重要。意法半导体提供的解决方案基于运算放大器和集成式电流监测器（用于分流电阻电流检测）。
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针对支持功能安全的EV牵引逆变器选择合适的栅极驱动
电动和混合动力汽车依赖牵引逆变器——这是必须满足最高汽车安全标准（特别是 ISO 26262 ASIL D 认证）的关键系统。虽然认证适用于整个系统而非单个组件，但选择具备支持系统级合规特性的栅极驱动器，可简化这一流程。选用此类元件有助于实现更小巧、更具成本效益、上市更快且功能安全的电动汽车动力总成。本白皮书展示了具有特定集成功能的元件如何减少开发工作量、BOM 成本、尺寸、功耗和上市时间，同时提高可靠性。
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设计安全、高效的太阳能装置以满足2050年净零排放要求
ST利用下一代WBG功率半导体大幅提高效率和功率密度，和采用创新电弧故障保护技术，提升系统的安全性和可靠性。
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